靶材在半导体微电子真空器件封装领域中发挥着不可或缺的作用，其主要通过物理气相沉积（PVD）等技术在封装过程中形成关键性薄膜，以满足器件在电气性能、气密性、可靠性和集成度方面的苛刻要求。

在气密性封装方面，靶材用于沉积金属密封层或阻挡层。例如，采用高纯度铝、铜或金靶材，通过溅射在陶瓷或金属封装壳体内壁形成致密薄膜，可有效隔绝外界水汽、氧气等有害气体侵入，维持腔体内真空或特定气氛环境的长期稳定，极大提升了航空航天、军工装备中高可靠性器件的寿命。

在热管理方面，氮化铝（AlN）或金刚石复合靶材可用于沉积高导热绝缘层。这些薄膜能够将芯片工作中产生的热量高效传导至封装外壳，避免热量积聚导致性能退化，尤其适用于氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等高频高功率器件的封装。

在电性能提升方面，靶材用于制备封装内部的金属互联和电磁屏蔽层。高纯铜靶、钽靶可实现微米级高导电路径的成型，降低信号传输损耗；特种合金靶材则可用于沉积电磁干扰（EMI）屏蔽层，保障器件在复杂环境中的信号完整性。

当前，随着系统级封装（SiP）、晶圆级封装（WLP）等先进封装技术的发展，靶材在凸点制备、微米级重布线及三维集成等环节的应用不断深化。未来，面向更高频率、更高功率及更小尺寸的封装需求，高纯度、大尺寸、复合结构的靶材将成为突破封装性能瓶颈的关键材料之一。